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Electrical Specifications
Table 4. Electrical Characteristics Measured in Frequency Specific Tuned Circuits (continued)
(Vcc = 2.7V, TA = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Noise Figure
NF
Low IP3
—
1.38
1.6
dB
High IP3
Bypass
Input IP3
Low IP3
IIP3
—
—
-6.5
1.53
3.85
-4.1
1.75
4.6
—
dBm
High IP3
Bypass
Power Output at 1.0 dB Gain Compression
P1dBoutput
1.75
27
3.5
27.6
—
—
Low IP3
High IP3
10.9
11.1
11.9
12.1
—
—
dBm
Gain
S21
Low IP3
20.1
21.1
—
dB
High IP3
Bypass
20.8
-4.5
21.8
-3.5
—
—
900 MHz High IP3 (refer to Figure 16 )
RF Gain
G
Low IP3
15.5
16.5
—
dB
High IP3
Bypass
Noise Figure
Low IP3
NF
16.1
-5.2
—
17.1
-4.2
1.43
—
—
1.65
dB
High IP3
Bypass
Input IP3
Low IP3
IIP3
—
—
-6
1.55
4.6
-2.9
1.75
5.8
—
dBm
High IP3
Bypass
Power Output at 1.0 dB Gain Compression
P1dBoutput
6
26.2
8
27.7
—
—
Low IP3
High IP3
8
11.5
12
13.5
—
—
dBm
MC13850 Advance Information, Rev. 1
6
Freescale Semiconductor
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